Una memoria instantánea 100 veces más rápida que la Flash

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Muy conveniente para IBM celebrar su 100 aniversario con un chip de memoria que es 100 veces las tan conicdas y populares Flash Memories. Para que seden  una idea, esta nueva memoria basada en el cambio de fase (PCM) no solo sería 100 veces más rápida que la actual flash sino que también entre sus características destaca la resistencia a millones de ciclos (las flash se quedan en los miles) además de ser suficientemente baratas como para equiparlas en dispositivos de uso cotidiano.

La tecnología PCM no es nueva, sin embargo, en IBM han trabajado para poder alcanzar hasta 4 bits por celda en lugar del único bit que se conseguía actualmente, permitiendo así sobrepasar los límites de capacidad que se encontraban hasta ahora. Además, se han solucionado los problemas de errores de lectura que se daban en la anterior versión, provocados principalmente por el aumento de la resistencia eléctrica. Teniendo en cuenta que el desarrollo de ThunderBolt (o Light Peak como lo llaman otros) a 50 Gbps también está en marcha, algo nos dice que una nueva era de rendimiento tecnológico está a punto de llegar, asi que no podría estar muy lejos que nuestras máquinas y móviles hagan las cosas tan rápido como las pensamos…